Η Samsung ανακοίνωσε ότι ξεκινά την μαζική παραγωγή των πρώτων chip και modules μνήμης DRAM 8-gigabit DDR4 στην κλίμακα των 10nm (δηλαδή από 10nm έως 20nm, το πιθανότερο στα 18nm), έτσι ώστε να προσφέρει ακόμη μεγαλύτερη απόδοση και λειτουργικότητα με ταυτόχρονη μείωση στην κατανάλωση ενέργειας.
" Γεωπόνος”
